ՀԱՊՀ Գրադարանի Գրացուցակ = NPUA Library Catalog

Normal view MARC view ISBD view

Модель расчета удельной емкости SiC МОП транзистора с глубокими примесями и уровнями захвата / А.А. Тамразян

By: Тамразян, Арам Арменович.
Material type: materialTypeLabelArticleOther title: Specific capacitance calculation model of SiC-based nanoscale MOSFET with deep impurities and trap levels [Parallel title] | Խոր խառնուրդային և թակարդային մակարդակներով նանոչափային SiC-ային ՄՕԿ տրանզիստորի տեսակարար ունակության հաշվարկման մոդել [Parallel title].Subject(s): | Electronics | Էլեկտրոնիկա | SiC МОП транзистор | Удельнaя емкость | Центры захвата и примесиOnline resources: Электронная версия In: Вестник Национального политехнического университета Армении . Серия: Информационные технологии, электроника, радиотехника 2018, № 1, С. 71-81
Item type Current location Collection Call number Status Date due Barcode
Articles Article Electronic Article

Список лит.: с. 79-80(9 назв.)

Powered by Koha