The Disclosure Correcting Method for the 6T Static Random-Access Memory Cell / O.H. Petrosyan, K.A. Melikyan
By: Petrosyan, Oleg Harutyun.
Contributor(s): Melikyan, Karen Arthur.
Material type:
ArticleOther title: Վեց տրանզիստորներով ստատիկ պատահական թողունակությամբ հիշողության հանգույցներում բացվածքի ուղղման մեթոդ [Parallel title] | Метод коррекции раскрытия для 6T статической оперативной памяти [Parallel title].Subject(s): Electronics | Էլեկտրոնիկա | Электроника | 6T static random-access memory (SRAM) | Data reading | Data writing | Word line | First bit line | Second bit lineOnline resources: Electronic version
In:
Proceedings of State engineering university of Armenia . Series: Information technologies, electronics, radio engineering 2020, № 1, pp. 57-65
| Item type | Current location | Collection | Call number | Status | Date due | Barcode |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Articles | Article | Electronic Article |
Bibliogr.: p. 64(6 references)