Petrosyan, Oleg Harutyun <br/><br/>
The Disclosure Correcting Method for the 6T Static Random-Access Memory Cell / 
 Վեց տրանզիստորներով ստատիկ պատահական թողունակությամբ հիշողության հանգույցներում բացվածքի ուղղման մեթոդ  Метод коррекции раскрытия для 6T статической оперативной памяти 
O.H. Petrosyan, K.A. Melikyan  
<br/><br/>Bibliogr.: p. 64(6 references) 
<br/><br/><label>Subjects--Topical Terms: </label><br/>Electronics<br/>Էլեկտրոնիկա<br/>Электроника 
<br/><br/><label>Subjects--Index Terms: </label>6T static random-access memory (SRAM) Data reading Data writing Word line First bit line Second bit line 
<br/><br/><label>Universal Decimal Class. No.: </label>621.382