Նորմալ դիտում MARC դիտում ISBD Դիտում

Полевые транзисторы на арсениде галлия Принципы работы и технология изготовления / П.Ф. Линдквист, У.М. Форд, Л. Холлан и др. ; Под ред. Д.В. Ди Лоренцо, Д.Д. Канделуолат ; Пер.с англ. Г.В. Петрова.

Աջակցող(ներ)։ Նյութի տեսակ։ ՏեքստՏեքստԼեզու: Ռուսերեն Հրատարակման մանրամասներ։ Москва : Радио и связь , 1988.Նկարագրություն։ 495 сԽորագրեր։
Պահումներ
Նյութի տեսակ Ընթացիկ գրադարան Հավաքածու Դարակային համար Վիճակ Նշումներ Վերադարձի ամսաթիվ Շտրիխ կոդ
Books Books National Polytechnic University Library General Stacks Scientific Literature Depository 621.382.3 П-49 (Դիտման դարակ(Բացվում է ներքևում)) Հասանելի 30 Days Loan EU0230523
Books Books National Polytechnic University Library General Stacks Scientific Literature Depository 621.382.3 П-49 (Դիտման դարակ(Բացվում է ներքևում)) Հասանելի 30 Days Loan EU0230524
Books Books National Polytechnic University Library General Stacks Scientific Literature Depository 621.382.3 П-49 (Դիտման դարակ(Բացվում է ներքևում)) Հասանելի 30 Days Loan EU0231398
Books Books National Polytechnic University Library General Stacks Scientific Literature Depository 621.382.3 П-49 (Դիտման դարակ(Բացվում է ներքևում)) Հասանելի 30 Days Loan EU0579848

Авт. указаны в оглав.

Библиогр.: с. 439-490

Оригинал на англ.: GaAs FET Principles and Technology / James V. DiLorenzo, Deen D. Khandelwal - Artech House : 1982

Ուղեկցվում է Կոհա