Тамразян, Арам Арменович <br/><br/>
Моделирование и исследование физических явлений наноразмерных металл-оксид-полупроводниковых транзисторов на основе карбида кремния :  Автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.01 / 
 Սիլիցիումի կարբիդի հիմքով մետաղ-օքսիդ-կիսահաղորդիչ նանոչափային տրանզիստորների ֆիզիկական երևույթների մոդելավորումը և հետազոտումը.  Սեղմ. ... տեխն. գիտ. թեկն. ատենախոս. : Ե.27.01 
МОН РА, ГИУА. 
 - Ереван,  2013. 
 - 22 с. 
<br/><br/>Науч. рук.: д.т.н. В.В. Буниатян 
<br/><br/><label>Subjects--Topical Terms: </label><br/>Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микроэлектроника<br/>Моделирование физических явлений<br/>Транзисторы
<br/><br/><label>Index Terms--Genre/Form: </label><br/>Thesis