| 000 | 00937nam a2200193 u 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 000202047 | ||
| 005 | 20240715053017.0 | ||
| 008 | 980303s1963 ||||||||||||||||||||rus d | ||
| 100 | 1 | _aШайв, Дж.Н. | |
| 245 | 1 | 0 |
_aФизические свойства и конструкции полупроводниковых приборов / _cШайв Дж. Н. ; Пер. с англ. под ред. Г.А. Тягунова. |
| 260 |
_aЛенинград; _aМосква : _bГосэнергоиздат, _c1963. |
||
| 300 |
_a552 с. _c21 см. |
||
| 504 | _aБиблиогр. в конце глав | ||
| 534 |
_pОригинал на англ. : _tThe Properties, Physics and Design of Semiconductor Devices / _aBy J.N. Shive - _cD. van Nostrand Co., Inc. : 1959 |
||
| 650 | 1 | 4 | _aПолупроводниковые приборы |
| 700 | 1 |
_aТягунов, Г.А. _eред. _4edt |
|
| 999 |
_c38264 _d38264 |
||
| 041 | _arus | ||