| 000 | 01642nam a2200217 u 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 000483355 | ||
| 005 | 20240715053647.0 | ||
| 008 | 060406s1998 ||| fra 000 0 rus d | ||
| 041 | 0 | _arus | |
| 100 | 1 |
_aԲունիաթյան, Վահե Վազգենի, _d1947- |
|
| 245 | 1 | 0 |
_aИсследование сверхвысокочастотных характеристик инжекционно-пролетных диодов с уровнями прилипания и квантовыми ямами : _bАвтореферат дис. ... д-р техн. наук : Е.27.01 / _cГИУА. |
| 246 | 1 | 1 |
_aԿպչուն մակարդակներ և քվանտային փոսեր պարունակող ինժեկցիոն-թռիչքային դիոդների գերբարձր հաճախականային բնութագրերի հետազոտումը : _bՍեղմագիր տեխն. գիտ. դոկտ. ... ատենախոսության : Ե.27.01 |
| 260 |
_aЕреван :, _c1998. |
||
| 300 | _a29 с. | ||
| 502 | _aГИУА | ||
| 502 | _aНауч. консультант: акад. НАН РА В.М.Арутюнян | ||
| 650 | 1 | 4 | _aТвердотельная электроника и микроэлектроника |
| 650 | 1 | 4 | _aИнжекционные фотодиоды |
| 655 | 7 | _aThesis | |
| 999 |
_c54684 _d54684 |
||