000 | 01786nam a2200205 u 4500 | ||
---|---|---|---|
001 | 000763208 | ||
005 | 20240715054711.0 | ||
008 | 101006s2010 ai fra 000 0 rus c | ||
041 | 0 | _arus | |
100 | 1 | _aАчоян, Арам Шаликоевич | |
245 | 1 | 0 |
_aВлияние особенностей экранирования электрического поля на контактные явления и на распределение неравновесных носителей заряда в полупроводниковых наноструктурах : _bАвтореф. дис. ... канд. физ.-мат. по спец. 01.04.10- Физика полупроводников / _cА.Ш.Ачоян. |
246 | 1 | 1 |
_aԷլեկտրական դաշտի էկրանավորման առանձնահատկությունների ազդեցությունը կիսահաղորդչային նանոկառուցվածքներում կոնտակտային երևույթների և անհավասարակշիռ լիցքակիրների բաշխման վրա. _bՍեղմ. Ա.04.10- «Կիսահաղորդիչների ֆիզիկա» մասն. ֆիզ.-մաթ. գիտ. թեկն. |
260 |
_aЕреван, _c2010. |
||
300 | _a22 с. | ||
502 | _aМОН РА, ЕГУ | ||
502 | _aНауч. рук.: д-р ф.-м.н., проф. С.Г.Петросян | ||
650 | 1 | 4 | _aФизика полупроводников |
655 | 7 | _aThesis | |
999 |
_c81585 _d81585 |